ASML引介新一代高NA EUV光刻机：芯片缩小1.7倍、密度增加2.9倍

按照业内人士预判，2025年前后半导体在复制品层面将进入埃米大尺度(Å，angstrom，1埃 = 0.1纳米)，其中2025相关联A14(14Å=1.4纳米)。除了新真空管结构、2D材质，还有很决定性的一环就是High NA(颇高数值孔径)EUV光刻空。根据ASML(阿斯麦)透露的最新电子邮件，4台原型试做空2023年对外开放，原定由imec(比利时微电子研究中心)装空，2025年后量产，4台原定交付使用Intel。

Gartner交易商Alan Priestley称，0.55NA世代EUV光刻空售价将翻番到3亿美元。

那么这么贵的空器，到底能借助什么呢？

ASML发言人向媒体介绍，较颇高的光刻解像度将而无须芯片减小1.7倍、同时量增加2.9倍。将会比3nm更先进的工艺，将以致于依赖颇高NA EUV光刻空。

当然，ASML并不会独立做出颇高NA EUV光刻空，还必须德国Zeiss以及长崎光刻胶涂布等举足轻重厂商的支持。

ASML现售的0.33NA EUV光刻空拥有极限10万配件，必须40个海运集装箱或者4架喷气式飞机货空才能一次性货运完成，售价1.4亿美元左右。

去年ASML仅仅卖了31台EUV光刻空，今年数量提升到极限100台。